소자에의 응용을 위한 결정성장방법 중의 하나는 단결정으로 이루어진 웨이퍼 상에 얇은 박막결정을 성장시키는 것이다.
이 과정에서 기판은 그 위에 새로운 결정을 성장시키는 시드 결정(seed crystal)이 되며, 새 결정은 기판과 같은 결정구조 및 방향성을 가진다.
이렇게 기판 웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 단결정 막을 기르는 기술을 에피택셜 성장(epitaxial growth) 또는 에피택시(epitaxy)라 한다.
에피택시는 성장되는 결정이 기판 결정과 같은 물질인 경우인 호모 에피택시(homoepitaxy)와 결정들이 서로 유사한 격자구조를 갖지만 다른 물질인 경우인 헤테로 에피택시(heteroepitaxy)로 구분된다.
에피택시는 기판 결정의 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 행해지며, 성장막의 표면에 적절한 원자를 공급하기 위하여 다양한 방법이 사용된다.
현재 주로 사용되고 있는 방법에는 액상 에피택시(liquid phase epitaxy; LPE), 기상 에피택시(vapor phase epitaxy; VPE),
그리고 분자선 에피택시(molecular beam epitaxy; MBE) 등이 있고 이러한 성장방법들에 의해 Si과 GaAs를 포함하는 광범위한 반도체 박막 결정들이 키워지고 있다.
특히 화합물 반도체를 이용한 전자 및 광전자 소자의 구현에 있어 에피택시 공정은 필수적인 공정이라 하겠다.
에피택시 공정 중 MBE법은 초고진공(10-11 torr 이하) 장치 내에서 원료 물질을 증발시켜 기판에 증착시키는 물리적 증착 기술 즉, PVD 기술의 하나이다.
[출처] 에피택시(Epitaxy) 공정|작성자 제이벡 Jvac